สินค้า
การยุติแบบตะกั่ว
การยุติแบบตะกั่ว
การยุติแบบตะกั่ว
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคหลัก:
กำลังไฟที่กำหนด: 5-800 วัตต์
วัสดุพื้นผิว: BeO, AlN, Al2O3
ค่าความต้านทานที่ระบุ: 50Ω
ค่าความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน: ±5%, ±2%, ±1%
ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: ＜150 ppm/℃
อุณหภูมิใช้งาน: -55 ถึง +150℃
มาตรฐาน ROHS: เป็นไปตามข้อกำหนด
มาตรฐานที่เกี่ยวข้อง: Q/RFTYTR001-2022
ความยาวสายไฟ: L ตามที่ระบุในเอกสารข้อมูล
(สามารถปรับแต่งได้ตามความต้องการของลูกค้า)
| พลัง(W) | ความถี่ | ขนาด (หน่วย: มม.) | สารตั้งต้นวัสดุ | เอกสารข้อมูลจำเพาะ (PDF) | |||||
| A | B | H | G | W | L | ||||
| 5W | 6GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
| 11GHz | 1.27 | 2.54 | 0.5 | 1.0 | 0.8 | 3.0 | อัลเอ็น | RFT50N-05TJ1225 | |
| 10 วัตต์ | 4GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | บีโอ | RFT50-10TM2550 |
| 6GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
| 8GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | บีโอ | RFT50-10TM0404 | |
| 10GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | บีโอ | RFT50-10TM5035 | |
| 18GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | บีโอ | RFT50-10TM5023 | |
| 20 วัตต์ | 4GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | บีโอ | RFT50-20TM2550 |
| 6GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
| 8GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | บีโอ | RFT50-20TM0404 | |
| 10GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | บีโอ | RFT50-20TM5035 | |
| 18GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | บีโอ | RFT50-20TM5023 | |
| 30 วัตต์ | 6GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | อัลเอ็น | RFT50N-30TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | บีโอ | RFT50-30TM0606 | ||
| 60 วัตต์ | 6GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | อัลเอ็น | RFT50N-60TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | บีโอ | RFT50-60TM0606 | ||
| 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | บีโอ | RFT50-60TJ6363 | ||
| 100 วัตต์ | 3GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | อัลเอ็น | RFT50N-100TJ6395 |
| 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | อัลเอ็น | RFT50N-100TJ8957 | ||
| 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-100TJ9595 | ||
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-100TJ1010 | |
| 6GHz | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | บีโอ | RFT50-100TJ6363 | |
| 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | อัลเอ็น | RFT50N-100TJ8957B | ||
| 8GHz | 9.0 | 6.0 | 1.5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | บีโอ | RFT50-100TJ0906C | |
| 150 วัตต์ | 3GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | อัลเอ็น | RFT50N-150TJ6395 |
| 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-150TJ9595 | ||
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-150TJ1010 | |
| 6GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-150TJ1010B | |
| 200 วัตต์ | 3GHz | 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-200TJ9595 |
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-200TJ1010 | |
| 10GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-200TM1313B | |
| 250 วัตต์ | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-250TM1210 |
| 10GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-250TM1313B | |
| 300 วัตต์ | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-300TM1210 |
| 10GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-300TM1313B | |
| 400 วัตต์ | 2GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-400TM1313 |
| 500 วัตต์ | 2GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | บีโอ | RFT50-500TM1313 |
| 800 วัตต์ | 1GHz | 25.4 | 25.4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | บีโอ | RFT50-800TM2525 |
ภาพรวม
การต่อวงจรแบบมีขา (Leaded Termination) ทำได้โดยการเลือกขนาดและวัสดุของแผ่นรองรับที่เหมาะสมตามความต้องการด้านความถี่และกำลังไฟฟ้าที่แตกต่างกัน ผ่านกระบวนการต้านทาน การพิมพ์วงจร และการเผาผนึก วัสดุแผ่นรองรับที่ใช้กันทั่วไปส่วนใหญ่ได้แก่ เบริลเลียมออกไซด์ อะลูมิเนียมไนไตรด์ อะลูมิเนียมออกไซด์ หรือวัสดุที่มีคุณสมบัติในการระบายความร้อนได้ดีกว่า
ขั้วต่อแบบมีตะกั่ว แบ่งออกเป็นกระบวนการผลิตแบบฟิล์มบางและกระบวนการผลิตแบบฟิล์มหนา โดยได้รับการออกแบบตามความต้องการด้านกำลังไฟฟ้าและความถี่ที่เฉพาะเจาะจง จากนั้นจึงนำไปผ่านกระบวนการผลิต หากคุณมีความต้องการพิเศษ โปรดติดต่อเจ้าหน้าที่ฝ่ายขายของเราเพื่อขอรับโซลูชันเฉพาะสำหรับการปรับแต่ง
