-
ตัวต้านทานแบบมีปีก RFTXXN-60RM1306 ตัวต้านทาน RF
รุ่น RFTXXN-60RM1306 กำลังไฟ 60 วัตต์ ความต้านทาน XX โอห์ม (ปรับแต่งได้ 10~2000 โอห์ม) ค่าความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±5% ค่าความจุ 2.9 PF@100Ω ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ <150ppm/℃ วัสดุพื้นฐาน ALN ฝาครอบ AL2O3 หน้าแปลนยึด ทองเหลือง สายไฟ เงินบริสุทธิ์ 99.99% ส่วนประกอบต้านทาน ฟิล์มหนา อุณหภูมิใช้งาน -55 ถึง +150°C (ดูรายละเอียดการลดกำลังไฟ) ภาพร่าง (หน่วย: มม.) ความยาวของสายไฟสามารถปรับให้ตรงตามความต้องการของลูกค้า ค่าความคลาดเคลื่อนของขนาด: 5% เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น แนะนำ... -
ตัวต้านทานแบบมีปีก RFTXX-60RM2006F ตัวต้านทาน RF
รุ่น RFTXX-60RM2006F กำลังไฟ 60 วัตต์ ความต้านทาน XX โอห์ม (ปรับแต่งได้ 10~2000 โอห์ม) ค่าความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±5% ค่าความจุ 1.2 PF@100Ω ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ <150ppm/℃ วัสดุพื้นฐาน BeO ฝาครอบ AL2O3 หน้าแปลนยึด ทองเหลือง สายไฟ เงินบริสุทธิ์ 99.99% ส่วนประกอบต้านทาน ฟิล์มหนา อุณหภูมิใช้งาน -55 ถึง +150°C (ดูรายละเอียดการลดกำลังไฟ) ภาพร่าง (หน่วย: มม.) ความยาวของสายไฟสามารถปรับให้ตรงตามความต้องการของลูกค้า ค่าความคลาดเคลื่อนของขนาด: 5% เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น แนะนำ... -
ตัวต้านทาน RFTXX-05CR2550B
รุ่น RFTXX-05CR2550B กำลังไฟ 5 วัตต์ ความต้านทาน XX โอห์ม (ปรับแต่งได้ 10~3000 โอห์ม) ค่าความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±5% ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ <150ppm/℃ วัสดุพื้นฐาน BeO องค์ประกอบต้านทาน ฟิล์มหนา อุณหภูมิใช้งาน -55 ถึง +150°C (ดูรายละเอียดการลดกำลังไฟ) ภาพร่าง (หน่วย: มม.) ขั้นตอนการติดตั้งที่แนะนำ การลดกำลังไฟ โปรไฟล์การหลอม การกำหนดหมายเลขชิ้นส่วน ข้อควรระวัง ■ หลังจากเก็บรักษาชิ้นส่วนที่ซื้อใหม่เกิน 6 เดือน ควรตรวจสอบความสามารถในการเชื่อม... -
ตัวต้านทานแบบมีขา RFTXX-250RM1313K ตัวต้านทาน RF
รุ่น RFTXX-250RM1313K กำลังไฟ 250 วัตต์ ความต้านทาน XX โอห์ม~ (ปรับแต่งได้ 10-1000 โอห์ม) ค่าความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±5% ค่าความจุ 2.0 PF@100 โอห์ม ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ <150ppm/℃ วัสดุพื้นฐาน BeO ฝาครอบ AL2O3 ตะกั่ว ทองแดงชุบเงิน ส่วนประกอบต้านทาน ฟิล์มหนา อุณหภูมิในการทำงาน -55 ถึง +150°C (ดูรายละเอียดการลดกำลังไฟ) ขั้นตอนการติดตั้งที่แนะนำ การลดกำลังไฟ โปรไฟล์การรีโฟลว์ หมายเลขชิ้นส่วน ข้อควรระวัง ■ หลังจากเก็บรักษาชิ้นส่วนที่ซื้อใหม่เกิน 6 เดือน... -
ตัวต้านทานแบบมีขา RFTXX-10RM5025C ตัวต้านทาน RF
รุ่น RFTXX-10RM5025C กำลังไฟ 10 วัตต์ ความต้านทาน XX โอห์ม~ (ปรับแต่งได้ 10-3000 โอห์ม) ค่าความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±5% ค่าความจุ 1.8 PF@100 โอห์ม ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ <150ppm/℃ วัสดุพื้นฐาน BeO ฝาครอบ AL2O3 ตะกั่ว เงินบริสุทธิ์ 99.99% ส่วนประกอบต้านทาน ฟิล์มหนา อุณหภูมิในการทำงาน -55 ถึง +150°C (ดูรายละเอียดการลดกำลังไฟ) ขั้นตอนการติดตั้งที่แนะนำ การลดกำลังไฟ โปรไฟล์การรีโฟลว์ หมายเลขชิ้นส่วน ข้อควรระวัง ■ หลังจากเก็บรักษาชิ้นส่วนที่ซื้อใหม่เกิน 6 เดือน ... -
ตัวต้านทานชิป RFTXXN-10CR2550C ตัวต้านทาน RF
รุ่น RFTXXN-10CR2550C กำลังไฟ 10 วัตต์ ความต้านทาน XX โอห์ม (ปรับแต่งได้ 10~3000 โอห์ม) ค่าความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±5% ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ <150ppm/℃ วัสดุพื้นฐาน AlN องค์ประกอบต้านทานแบบฟิล์มหนา อุณหภูมิในการทำงาน -55 ถึง +150°C (ดูรายละเอียดการลดกำลังไฟ) ขั้นตอนการติดตั้งที่แนะนำ การลดกำลังไฟ โปรไฟล์การหลอม การกำหนดหมายเลขชิ้นส่วน ข้อควรระวัง ■ หลังจากเก็บรักษาชิ้นส่วนที่ซื้อใหม่เกิน 6 เดือน ควรตรวจสอบความสามารถในการเชื่อมก่อนใช้งาน ขอแนะนำ... -
ตัวต้านทานชิป RFTXX-20CR2550C ตัวต้านทาน RF
ขั้นตอนการติดตั้งที่แนะนำ การลดกำลังไฟ โปรไฟล์การหลอมละลาย หมายเลขชิ้นส่วน ข้อควรระวัง ■ หลังจากเก็บรักษาชิ้นส่วนที่ซื้อใหม่เกิน 6 เดือน ควรตรวจสอบความสามารถในการเชื่อมก่อนใช้งาน แนะนำให้เก็บรักษาหลังจากบรรจุในถุงสุญญากาศ ■ เจาะรูระบายความร้อนผ่าน PCB และเติมด้วยตะกั่วบัดกรี ■ การเชื่อมแบบหลอมละลายเป็นวิธีที่เหมาะสมที่สุดสำหรับการเชื่อม โปรดดูเส้นโค้งการหลอมละลาย ■ เพื่อให้เป็นไปตามข้อกำหนดของแบบร่าง ต้องติดตั้งแผงระบายความร้อนที่มีขนาดเพียงพอ ■ หากจำเป็น... -
ตัวต้านทานแบบติดตั้งบนพื้นผิว RFTXX-30CR2550TA ตัวต้านทาน RF
รุ่น RFTXX-30CR2550TA กำลังไฟ 30W ความต้านทาน XX Ω (ปรับแต่งได้ 10~3000Ω) ค่าความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±5% ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ <150ppm/℃ วัสดุพื้นฐาน BeO องค์ประกอบต้านทานแบบฟิล์มหนา อุณหภูมิในการทำงาน -55 ถึง +150°C (ดูรายละเอียดการลดกำลังไฟ) ขั้นตอนการติดตั้งที่แนะนำ การลดกำลังไฟ โปรไฟล์การรีโฟลว์ การกำหนดหมายเลขชิ้นส่วน ข้อควรระวัง ■ หลังจากเก็บรักษาชิ้นส่วนที่ซื้อใหม่เกิน 6 เดือน ควรตรวจสอบความสามารถในการเชื่อมก่อนใช้งาน ขอแนะนำ... -
ตัวต้านทานแบบติดตั้งบนพื้นผิว RFTXX-30CR6363C ตัวต้านทาน RF
รุ่น RFTXX-30CR6363C กำลังไฟ 30W ความต้านทาน XX Ω (ปรับแต่งได้ 10~3000Ω) ค่าความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±5% ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ <150ppm/℃ วัสดุพื้นฐาน BeO องค์ประกอบต้านทานแบบฟิล์มหนา อุณหภูมิในการทำงาน -55 ถึง +150°C (ดูรายละเอียดการลดกำลังไฟ) ขั้นตอนการติดตั้งที่แนะนำ การลดกำลังไฟ โปรไฟล์การรีโฟลว์ หมายเลขชิ้นส่วน ข้อควรระวัง ■ หลังจากเก็บรักษาชิ้นส่วนที่ซื้อใหม่เกิน 6 เดือน ควรตรวจสอบความสามารถในการเชื่อมก่อนใช้งาน ขอแนะนำ... -
ตัวต้านทานแบบติดตั้งบนพื้นผิว RFTXX-30CR2550W ตัวต้านทาน RF
รุ่น RFTXX-30CR2550W กำลังไฟ 30 วัตต์ ความต้านทาน XX โอห์ม (ปรับแต่งได้ 10~3000 โอห์ม) ค่าความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±5% ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ <150ppm/℃ วัสดุพื้นฐาน BeO องค์ประกอบต้านทานแบบฟิล์มหนา อุณหภูมิในการทำงาน -55 ถึง +150°C (ดูรายละเอียดการลดกำลังไฟ) ขั้นตอนการติดตั้งที่แนะนำ การลดกำลังไฟ โปรไฟล์การหลอม หมายเลขชิ้นส่วน ข้อควรระวัง ■ หลังจากเก็บรักษาชิ้นส่วนที่ซื้อใหม่เกิน 6 เดือน ควรตรวจสอบความสามารถในการเชื่อมก่อนใช้งาน ขอแนะนำ... -
RFTXXN-02CR2550B ตัวต้านทานแบบชิป ตัวต้านทาน RF
รุ่น RFTXXN-02CR2550B กำลังไฟ 2 วัตต์ ความต้านทาน XX โอห์ม (ปรับแต่งได้ 10~3000 โอห์ม) ค่าความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±5% ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ <150ppm/℃ วัสดุพื้นฐาน AlN องค์ประกอบต้านทานแบบฟิล์มหนา อุณหภูมิในการทำงาน -55 ถึง +150°C (ดูรายละเอียดการลดกำลังไฟ) ขั้นตอนการติดตั้งที่แนะนำ การลดกำลังไฟ โปรไฟล์การหลอม การกำหนดหมายเลขชิ้นส่วน ข้อควรระวัง ■ หลังจากเก็บรักษาชิ้นส่วนที่ซื้อใหม่เกิน 6 เดือน ควรตรวจสอบความสามารถในการเชื่อมก่อนใช้งาน ขอแนะนำ... -
ตัวต้านทานชิป RFTXXA-02CR3065B ตัวต้านทาน RF
รุ่น RFTXXA-02CR3065B กำลังไฟ 2 วัตต์ ความต้านทาน XX โอห์ม (ปรับแต่งได้ 10~3000 โอห์ม) ค่าความคลาดเคลื่อนของความต้านทาน ±5% ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ <150ppm/℃ วัสดุพื้นฐาน Al2O3 องค์ประกอบต้านทาน ฟิล์มหนา อุณหภูมิใช้งาน -55 ถึง +150°C (ดูรายละเอียดการลดกำลังไฟ) ขั้นตอนการติดตั้งที่แนะนำ การลดกำลังไฟ โปรไฟล์การหลอม หมายเลขชิ้นส่วน ข้อควรระวัง ■ หลังจากเก็บรักษาชิ้นส่วนที่ซื้อใหม่เกิน 6 เดือน ควรตรวจสอบความสามารถในการเชื่อมก่อนใช้งาน ขอแนะนำ...
